期刊文章详细信息
砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究
Study of the Radiative Recombination Coefficient of Filaments in GaAs Photoconductive Semiconductor Switches
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]成都工业学院机电工程系,成都610031 [2]成都学院电子信息工程学院,成都610106
基 金：成都工业学院院级科研项目"砷化镓光导开关的关键技术的理论研究"(KY1211002A)
年 份：2013
卷 号：16
期 号：2
起止页码：10-12
语 种：中文
收录情况：IC、UPD、普通刊
摘 要：应用统计物理方法研究了砷化镓光导开关中电流丝(即流注)的辐射复合系数。通过分析砷化镓光导开关中电流丝一端的自发辐射光谱,依据简单平均法和归一化条件,确定了电流丝辐射波长为890 nm的辐射复合系数为0.118 2,与相关实验测量吻合。
关 键 词：光电子学 砷化镓光导开关 电流丝 辐射复合系数
分 类 号：TN303]
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