期刊文章详细信息
宽禁带半导体关键设备技术及发展
A Review on Wide Band-Gap Semiconductor Key-equipment Technologies and Development
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙410111
年 份：2013
卷 号：42
期 号：5
起止页码：4-8
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。
关 键 词：宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 离子注入机 关键设备
分 类 号：TN305]
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