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期刊文章详细信息

碳热还原-反应烧结法制备多孔氮化硅陶瓷  ( EI收录 SCI收录)  

Fabrication of Porous Silicon Nitride with High Porosity by Carbothermal Reduction-reaction Bonding

  

文献类型:期刊文章

作  者:鲁元[1,2] 杨建锋[3] 李京龙[1,2]

机构地区:[1]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072 [2]西北工业大学陕西省摩擦焊接重点实验室,西安710072 [3]西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安710049

出  处:《无机材料学报》

基  金:国家自然科学基金(50772086;50821140308);国家863项目(2007AA03Z558)~~

年  份:2013

卷  号:28

期  号:5

起止页码:469-473

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、DOAJ、EI(收录号:20132516429583)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000319719600002)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000319719600002)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:以廉价的二氧化硅、炭黑和硅粉为起始原料,利用碳热还原–反应烧结法制备了高气孔率、孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷,考察了原料中硅粉含量对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响。XRD分析表明烧结后的试样成分除了少量的-Si3N4相和晶间相Y2Si3O3N4外,其余都是β-Si3N4相;SEM分析显示微观组织由棒状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成。通过改变硅粉的含量,制备了不同气孔率,力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷。

关 键 词:碳热还原-反应烧结法  多孔氮化硅陶瓷 气孔率

分 类 号:TQ171]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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