文献类型：期刊文章

作　　者：向毅[1] 江永清[2] 张小云[1] 柏俊杰[1]

机构地区：[1]重庆科技学院电气与信息工程学院,重庆401331 [2]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》

基　　金：重庆市科委自然基金项目(2011jjA1162);国家自然科学基金项目(51151105398);重庆科技学院校内科研基金项目(CK2011Z08;CK2011Z09)

年　　份：2013

卷　　号：34

期　　号：2

起止页码：197-199

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对基于碳纳米管阵列构成的光电器件,建立基于场效应器件结构的电磁散射模型,对其光电吸收特性进行了仿真分析。模型仿真结果表明,当碳纳米管阵列间距为入射光波长的整数倍时,碳纳米管的吸收功率达到峰值,当在两个波长之间,吸收功率按线性衰减,对应于入射光的不同倍数波长的吸收功率的峰值随波长的增加而线性衰减。在吸收功率峰值附近,吸收功率随阵列周期间距的变化而敏感。

关 键 词：碳纳米管 场效应 光电器件 吸收功率  仿真分析  

分 类 号：TN36]