文献类型：期刊文章

作　　者：柳福提[1,2] 程艳[1] 羊富彬[1] 程晓洪[2] 陈向荣[1]

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院,成都610064 [2]宜宾学院物理与电子工程学院,宜宾644000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11174214,11204192)资助的课题~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：10

起止页码：380-385

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132616448580)、INSPEC、JST、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000319869300058)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Au(100)-Si-Au(100)系统左侧对顶位、右侧对空位的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算,结果得到纳米结点的电导随电极距离(dz)增大而减小.在dz=9.72时,结点的结合能最低,结构最稳定,此时电导为1.227G0(G0=2e2/h),其电子输运通道主要是Si原子的px,py和pz轨道电子形成的最高占居轨道共振峰;在外偏压下,电流-电压曲线表现出线性特征;随着外加正负电压的增大,电导略有减小,且表现出不对称性的变化.

关 键 词：硅原子 电子输运 密度泛函理论  非平衡格林函数

分 类 号：O469]