文献类型：期刊文章

作　　者：李春雷[1] 徐燕[1] 张燕翔[1] 叶宝生[1]

机构地区：[1]首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室,北京100048

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金专项基金(批准号:11147198)资助的课题~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：10

起止页码：374-379

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132616448579)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000319869300057)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响.这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据.

关 键 词：光子辅助隧穿  隧穿概率  量子阱  

分 类 号：O471.1]