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期刊文章详细信息

基于一维光子晶体陷光的超薄晶硅太阳电池研究  ( EI收录)  

Ultrathin c-Si Solar Cell Based on the Light Trapping Schemes of One Dimensional Photonic Crystal

  

文献类型:期刊文章

作  者:陆晓东[1] 伦淑娴[1] 周涛[1] 王月[1] 张明[1]

机构地区:[1]渤海大学新能源学院,锦州121000

出  处:《人工晶体学报》

基  金:教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-11-1005);2011年辽宁省第一批次科学计划项目(2011402001);辽宁省自然科学基金(201102005);辽宁省教育厅一般项目(L2012401);辽宁省百千万人才资助项目(2012921061);辽宁省高等学校优秀人才支持计划(LR201002)

年  份:2013

卷  号:42

期  号:4

起止页码:630-634

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20132216384073)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:先利用有限差分频域法研究了增透膜、Ag底面反射镜对不同厚度超薄晶硅电池光吸收谱的影响,得到最佳的超薄晶硅电池厚度为10~20μm的结论。然后,针对厚度为12μm的超薄晶硅电池陷光结构进行了理论优化,得到了增强因子大于2.25的一维光子晶体上表面织构结构。最后,对该电池结构的光生电流密度和倾斜入射光的接收角进行了计算,结果表明:最优的陷光结构可使12μm的超薄晶硅电池的最大光生电流密度达33 mA/cm2以上,且在入射角为-60°≤θ≤60°的范围内,该电池均能保持较大的光生电流密度。

关 键 词:太阳电池 晶硅材料  陷光结构 光子晶体

分 类 号:TK514]

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