文献类型：期刊文章

作　　者：朱恒静[1]

机构地区：[1]航天511所可靠性中心

出　　处：《国外电子测量技术》

年　　份：2000

卷　　号：19

期　　号：5

起止页码：16-20

语　　种：中文

收录情况：JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文给出了一种 I_(DDQ)测试技术和传统的走步测试相结合的 RAM测试方法。采用 I_(DDQ)测试技术可以减少 RAM测试的成本,但由于 RAM结构和使用上的限制,只采用 I_(DDQ)测试其故障检测能力不够高。在常规 RAM测试的基础上增加 I_(DDQ)测试是一个很好的解决方案。RAM阵列中的桥接故障、栅氧短路故障,可以用 I_(DDQ)覆盖。I_(DDQ)测试与走步测试相结合可以测试开路、数据滞留等不能仅仅由 I_(DDQ)技术测试的故障。对于一个给定的 SRAM故障模型,此方法可以减少测试的复杂性,测试复杂程度从16n(n为 RAM的地址数)减少到 5n+4。

关 键 词：故障模型  IDDQ测试 测试复杂性  RAM

分 类 号：TP333.806]