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Ca_(0.9)Sr_(0.1)S∶Bi^(3+),Tm^(3+)荧光材料的光学性质 ( EI收录)
Luminescent Properties of CCa_(0.9)Sr_(0.1)S∶Bi^(3+),Tm^(3+) Phosphor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京钢铁研究总院,测试研究所,北京100081 [2]北京化工厂荧光分厂,北京100021 [3]清华大学材料科学院,北京100084
基 金：国家自然科学重大基金资助项目!(批准号 698962 60 )
年 份：2000
卷 号：21
期 号：1
起止页码：43-47
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 +是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了 4 40 nm和 52 0 nm发射的激发谱 ,2 50 nm到 3 50 nm的激发的发射谱 ,以及 4 0 0 nm到 52 0 nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明 ,Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 + 有两个主要的能量传递体系 ,3 2 5nm的复合掺杂中心 Tm3 + 的 CT跃迁激发体系 ,和Bi3 + 的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在 4 53 nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时 ,It=I0 [( 1 +γet) ( 1 +γht) ]-n,对于 Ca0 .9Sr0 .1S∶Bi3 + ,Tm3 +材料 γh=0 .0 1 68,γe=0 .0 0 0 1 ,n=1 .1。Tm3 +的电子陷阱深度约为 0 .5e V,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系 ,电子陷阱的深度可表示为 De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=( βhc-αhx) x+( βhs-αhx) ( 1 -x)。
关 键 词：荧光粉 复合基质 复合掺杂 光学性质
分 类 号：TN104.3] O482.31]
参考文献：
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