文献类型：期刊文章

作　　者：李宏建[1] 彭景翠[1] 颜永红[1] 瞿述[1] 向建南[2]

机构地区：[1]湖南大学电子材料研究所,湖南长沙410082 [2]湖南大学化学化工学院,湖南长沙410082

出　　处：《发光学报》

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目!(98JJY2047)

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：104-108

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道对多孔硅（ＰＳ）进行碳膜（ＣＦ）钝化处理的结果。红外吸收光谱表明，经钝化处理样品的表面由Ｓｉ—Ｃ．Ｓｉ—Ｎ和Ｓｉ—Ｏ键所覆盖；荧光光谱表明，经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高４～４．５倍．且发光峰位明显蓝移；存放实验显示，经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变。这些结果表明，正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜，是一种十分有效的多孔硅后处理途径。

关 键 词：多孔硅 碳膜 表面钝化 荧光光谱

分 类 号：TN204] O484.41]