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期刊文章详细信息

HgCdTe薄膜的反局域效应  ( EI收录 SCI收录)  

Antilocalization effect in HgCdTe film

  

文献类型:期刊文章

作  者:魏来明[1] 刘新智[1] 俞国林[1] 高矿红[1,2] 王奇伟[1] 林铁[1] 郭少令[1] 魏彦峰[3] 杨建荣[3] 何力[3] 戴宁[1] 褚君浩[1,2]

机构地区:[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200062 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

出  处:《红外与毫米波学报》

基  金:国家重点基础研究发展计划(2013CB922301;2012CB619204);国家自然科学基金(60976093;10934007;11174306;11104073);上海市创新专项基金项目(11DZ1140500);信息功能材料国家重点实验室开放课题;上海技术物理所创新专项(Q-ZY-76)~~

年  份:2013

卷  号:32

期  号:2

起止页码:141-144

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、DOAJ、EI(收录号:20132016341658)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000318460400010)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000318460400010)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.

关 键 词:反局域  退相干时间  自旋-轨道耦合

分 类 号:O484.3]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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