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期刊文章详细信息

表面无小丘Al双层栅电极结构研究    

Study on Hillock-Free Al Gate Materials with Double Layer Structure

  

文献类型:期刊文章

作  者:王刚[1,2] 刘宏宇[3] 赵超[3] 杨柏梁[1] 黄锡珉[1]

机构地区:[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 [2]吉林彩晶数码高科显示器有限公司,吉林长春130031 [3]吉林大学电子工程系

出  处:《液晶与显示》

基  金:中国科学院"九五"重大项目(KY951-A1-502);吉林省科委"九五"科技攻关项目(970103-01)资助

年  份:2000

卷  号:15

期  号:2

起止页码:92-100

语  种:中文

收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘  要:利用DSC方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象,同时制备了Al双层栅电极Ta/Al、Cr/Al和Mo/Al薄膜,并在不同温度下进行了退火处理,研究了双层结构中上层金属(Ta、Cr和Mo)厚度对Al薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明,上层Ta膜厚度在80~90nm左右(在本实验条件下)时,可得到表面无小丘的Ta/Al薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘 Ta/Al、 Cr/Al和 Mo/Al等栅电极材料的电阻率均在 7~20μΩ·cm之间,基本满足现今对角线为 25~51cm(10~20in)大屏幕、高清晰度TFT LCD要求。

关 键 词:Al双层栅电极  小丘现象  应力释放 差热分析

分 类 号:TN873.93]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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