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期刊文章详细信息

电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性    

Relationship Between Geometric Effect Correction on Resistivity Measurement Methods

  

文献类型:期刊文章

作  者:孙以材[1] 范兆书[1] 孙新宇[1] 宁秋凤[1]

机构地区:[1]河北工业大学电气信息学院电子工程系,天津300130

出  处:《半导体技术》

年  份:2000

卷  号:25

期  号:5

起止页码:38-41

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性,论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性。通过实验予以证明,并可将这一结论应用于非圆心点测试。

关 键 词:电阻率测量 几何效应修正  半导体材料 测试  

分 类 号:TN304.07]

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同被引文献:

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