文献类型：期刊文章

作　　者：程进[1] 刘卫国[1] 刘欢[1] 郭伟进[1]

机构地区：[1]西安工业大学光电微系统研究所,陕西西安710032

出　　处：《压电与声光》

基　　金：总装备部预研基金资助项目(62201070821);陕西省教育厅出国留学人员基金资助项目(608-000030);陕西省教育厅科研计划基金资助项目(12JK0686);西安工业大学校长基金资助项目(XAGDXJJ1002)

年　　份：2013

卷　　号：35

期　　号：2

起止页码：158-161

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSA、CSCD、CSCD_E2013_2014、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理。用粒径100nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响。抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100nm的SiO2抛光液,转速为120r/min,压力为3.9N,抛光时间为40min。经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468nm,Rq=0.593nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度)。

关 键 词：铌酸锂(LiNbO3)晶片  键合减薄  声表面波(SAW)器件  抛光

分 类 号：TN409]