文献类型：期刊文章

作　　者：刘传珍[1,2] 杨柏梁[1,2] 李牧菊[1,2] 吴渊[1,2] 张玉[1,2] 李轶华[1,2] 邱法斌[1,2] 黄锡珉[1,2]

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 [2]北方液晶工程研究开发中心,吉林长春130021

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：中国科学院"九五"重大项目!KY95-A1-502;吉林省科委"九五"科技攻关项目!970103-01

年　　份：2000

卷　　号：15

期　　号：1

起止页码：46-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。

关 键 词：激光退火 能量密度 多晶硅薄膜

分 类 号：O484.1] O471.4[物理学类]