文献类型：期刊文章

作　　者：李星活[1] 王聪[1,2] 彭强[1,2]

机构地区：[1]汕尾职业技术学院电子信息系,广东汕尾516600 [2]华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2013

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：16-19

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。

关 键 词：氧化锌  氩氧分压比  氧化锌基薄膜晶体管  射频磁控溅射法 场效应迁移率 输出特性  转移特性  

分 类 号：TN321.5]