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期刊文章详细信息

利用红外光谱测量氮化镓薄膜的载流子浓度和迁移率    

Measuring the carrier concentration and mobility of GaN film withinfrared spectrum

  

文献类型:期刊文章

作  者:张师平[1] 陈森[1] 朱少奇[1] 闫丹[1] 张炎[1] 吴平[1]

机构地区:[1]北京科技大学数理学院物理系,北京100083

出  处:《物理实验》

基  金:北京科技大学研究型教学示范课建设项目(No.JY2011SFK18);北京科技大学教育教学改革研究项目(重点)(No.JG2011Z14)

年  份:2013

卷  号:33

期  号:3

起止页码:4-6

语  种:中文

收录情况:JST、普通刊

摘  要:利用红外光谱仪无损测量氮化镓薄膜的反射红外光谱,通过拟合计算获得薄膜的载流子浓度以及迁移率.实验测得氮化镓薄膜的载流子浓度为3.204×1018 cm-3,迁移率为2.149×102 cm2/(V.s),该结果与霍尔效应方法测量结果一致.

关 键 词:氮化镓薄膜 载流子浓度 迁移率 红外光谱

分 类 号:O484]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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