期刊文章详细信息
CCP/ICP混合放电C_4F_8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响 ( EI收录)
Effect of high-frequency and low-frequency power of CCP/ICP C_4F_8/Ar plasma on the textured structure of AZO films
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 [2]江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006 [3]苏州大学分析测试中心,江苏苏州215006
基 金:国家自然科学基金资助项目(10575073);苏州市科技计划资助项目(SYJG0901);苏州大学2010年国家级大学生创新性实验计划资助项目(5731500910)
年 份:2013
卷 号:44
期 号:5
起止页码:744-747
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20131716238590)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构;但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小。
关 键 词:AZO CCP ICP 绒面结构 发射光谱
分 类 号:O53]
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