文献类型：期刊文章

作　　者：马寒玉[1] 马成炎[1,2,3]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]杭州中科微电子有限公司,浙江杭州310053 [3]嘉兴联星微电子有限公司,浙江嘉兴314000

出　　处：《电子技术应用》

年　　份：2013

卷　　号：39

期　　号：3

起止页码：37-39

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、DOAJ、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9%/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA。

关 键 词：电流基准 温度系数 电源抑制比

分 类 号：TN432]