文献类型：期刊文章

作　　者：张欣[1] 王文涛[1] 张勇[1] 张敏[1] 张酣[2] 雷鸣[1] 赵勇[1,3]

机构地区：[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,成都610031 [2]北京大学物理系,北京100871 [3]新南威尔士大学材料科学与工程学院

出　　处：《中国有色金属学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50872116;51102199);中央高校专项基础研究基金资助项目(SWJTU09ZT24)

年　　份：2013

卷　　号：23

期　　号：1

起止页码：162-167

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用高分子辅助的化学溶液沉积法，通过720～800℃之间进行烧结成相，分别在氩气和空气中SrTiO3（STO）单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03（SZO）PbN薄膜，重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明：氩气中制得的SZO外延薄膜C轴取向较好，且表面更加平整致密；氩气中770℃制备的SZO薄膜厚度超过230nm。而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层。

关 键 词：涂层导体 SrZrO3缓冲层  化学溶液沉积法 织构

分 类 号：TB33[材料类] TB34