文献类型：期刊文章

作　　者：吴木生[1] 徐波[1] 刘刚[1] 欧阳楚英[1]

机构地区：[1]江西师范大学物理与通信电子学院,南昌330022

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10904054);江西省自然科学基金(批准号:2009GQW008;2010GZW0028);江西省光电子与通信重点实验室(江西师范大学);江西师范大学青年英才培育资助计划资助~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：3

起止页码：304-309

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132016329071)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000316818900046)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响.计算结果表明:当掺杂浓度较高时,W对MoS2的能带结构几乎没有影响,而Cr的掺杂则影响很大,表现为能带由直接带隙变为间接带隙,且禁带宽度减小.通过进一步分析,得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.

关 键 词：二硫化钼 掺杂 电子结构 第一性原理

分 类 号：O469]