登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能  ( EI收录)  

Preparation and Photoelectrical Properties of CuS/TiO_2 Nanotube Heterojunction Arrays

  

文献类型:期刊文章

作  者:柯川[1] 蔡芳共[1] 杨峰[1] 程翠华[1,2] 赵勇[1,2]

机构地区:[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031 [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,悉尼2052

出  处:《高等学校化学学报》

基  金:中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:SWJTU12CX017,SWJTU11ZT31,SWJTU11ZT16);教育部超导磁悬浮列车创新团队项目(批准号:IRT0751);国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2011GB112001);教育部博士点基金(批准号:SRDP200806130023);四川省科技计划资助项目(批准号:2011JY0031,2011JY0130)资助

年  份:2013

卷  号:34

期  号:2

起止页码:423-428

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20132316388445)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376~600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300~376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.

关 键 词:CUS TiO2纳米管异质结阵列  表面光电压谱 相位谱  界面电场  光电化学性能

分 类 号:O649]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心