文献类型：期刊文章

作　　者：杨志伟[1] 韩圣浩[1] 杨田林[1] 赵俊卿[1] 马瑾[1] 马洪磊[1] 程传福[2]

机构地区：[1]山东大学光电材料与器件研究所,济南250100 [2]山东师范大学物理系,济南250014

出　　处：《物理学报》

基　　金：山东省计委九五攻关项目!(鲁计投资 [字 ] 19976 0 2号 )资助的课题&&

年　　份：2000

卷　　号：49

期　　号：6

起止页码：1196-1201

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2000095316708)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000087465100037)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 %— 10 % (w .t.) ,最佳氩分压为 0 5— 1Pa.当衬底负偏压为 2 0— 40V时 ,晶粒平均尺寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值 .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的c轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少 .最佳衬底负偏压取值范围为 2 0— 40V .

关 键 词：偏压磁控溅射法  水冷柔性衬底  ITO透明导电膜  

分 类 号：TN305]