文献类型：期刊文章

作　　者：孙桂华[1,2] 蒋德琼[3] 冯一兵[3] 杨向东[1]

机构地区：[1]四川大学原子分子物理所 [2]张掖师范专科学校物理系,张掖734000 [3]四川师范大学物理系

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金!资助课题 批准号 195 74 0 3 5

年　　份：2000

卷　　号：17

期　　号：1

起止页码：97-101

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较。计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64meV),计算结果与MKeil等的实验结果基本相符。研究结果表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响,为根据散射截面准确地确定He-N2体系的相互作用势能参数提供了一种新依据。

关 键 词：势能表面  散射截面 He-N2体系  原子 分子

分 类 号：O561.5]