文献类型：期刊文章

作　　者：王健[1] 谢自力[1] 张韵[1] 滕龙[1] 李烨操[1] 曹先雷[1] 丁煜[1] 刘斌[1] 修向前[1] 陈鹏[1] 韩平[1] 施毅[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家973计划(2011CB301900;2012CB619304);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178)资助课题

年　　份：2013

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：170-173

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20131616213299)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。

关 键 词：薄膜  快速退火 X射线衍射 氮化铟 掺杂  位错  

分 类 号：O474] TN304.2[物理学类]