文献类型：期刊文章

作　　者：李久明[1] 王珍吾[1] 艾永平[1] 刘祥辉[1] 刘利军[1]

机构地区：[1]井冈山大学建筑工程学院新型低碳环保建材研究所,江西吉安343009

出　　处：《材料保护》

基　　金：国家自然科学基金(31060134);(81260230);吉安市2011年指导性科技计划项目资助

年　　份：2013

卷　　号：46

期　　号：1

起止页码：35-36

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率的增加,铜的晶粒尺寸先变大后变小;随钨靶功率的增大,β-钨有向非晶态转变的趋势,且铜的晶粒尺寸会明显变小;薄膜的沉积速率主要由钨靶功率决定;工作气体氩气气压低于1.0 Pa时,随气压升高,铜的晶粒尺寸变小,高于1.0 Pa时,气压对薄膜结构没有影响。

关 键 词：Cu—W均质薄膜  磁控溅射  晶粒尺寸  靶功率  气压

分 类 号：TG174.44]