文献类型：期刊文章

作　　者：汪已琳[1] 张东华[1] 汤斌兵[1] 周浪[1]

机构地区：[1]南昌大学太阳能光伏学院,南昌330031

出　　处：《半导体技术》

基　　金：高等学校博士学科点专项基金新教师类(20113601120006)

年　　份：2013

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：135-139

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：当前类单晶硅锭生长技术已能容易地获得尺寸数倍于太阳电池硅片的<001>取向的超大"晶粒",但在其硅片中存在亚晶粒。采用位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和背散射电子衍射(EBSD),研究了该类硅片的亚晶粒及亚晶界结构。结果表明:硅片中亚晶粒尺寸为3～6 mm,其中的亚晶界对位错刻蚀十分敏感,为密排位错列组成,亚晶粒内部同时也存在与普通多晶硅锭中平均密度相当的位错;亚晶粒之间相互取向差别小于10°,而且基本是以<001>为轴的旋转位向差,故能够保证(001)面特有的金字塔型碱腐蚀制绒效果;类单晶硅锭的结晶质量有待于进一步提高,应尽量避免亚晶粒的产生。

关 键 词：类单晶硅  亚晶粒  亚晶界 位错 背散射电子衍射 位向差  

分 类 号：TN304.12]