期刊文章详细信息
间接耦合光电探测结构的光致负阻特性 ( EI收录)
Characteristics of Photonegative Resistance in Indirect Coupling Photodetecting Structure
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]武汉大学物理系,430072
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：湖北省科委基金
年 份：1991
卷 号：12
期 号：10
起止页码：637-640
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1992030426194)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.
关 键 词：光电探测结构 光致负阻 间接耦合
分 类 号：TN382]
参考文献：
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耦合文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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