期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]浙江师范大学LED芯片研发中心,浙江金华321004
基 金:浙江省自然科学基金资助项目(Z6090556);浙江省新苗人才计划孵化项目(4053)
年 份:2013
卷 号:36
期 号:1
起止页码:65-67
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、JST、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要:为了得到高纯度的硫化亚锡薄膜,利用恒电压法成功制备了硫化亚锡微米棒薄膜,并将该薄膜在200℃真空退火1 h.结构和形貌分析表明:该薄膜是由2~5μm的细棒组成,并且优先沿着(101)晶面方向生长.拉曼光谱表明该薄膜具有较高的纯度.
关 键 词:微米棒 乙二胺四乙酸(EDTA) 恒电压法 温度退火
分 类 号:O646.54]
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