文献类型：期刊文章

作　　者：马继奎[1] 赵庆勋[2] 彭增伟[2] 陈明敬[2] 史金超[1] 刘保亭[2]

机构地区：[1]英利绿色能源控股有限公司,保定071051 [2]河北大学物理科学与技术学院,保定071002

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(60876055;11074063);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省自然科学基金(E2009000207;E2008000620;08B010)

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：6

起止页码：1561-1565

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20130515953719)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制。X射线衍射图谱和Φ扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm。薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制。BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe。

关 键 词：BIFEO3 磁控溅射 铁电性 外延生长  

分 类 号：O484.1]