文献类型：期刊文章

作　　者：戚丽娜[1] 张景超[1] 刘利峰[1] 赵善麒[1]

机构地区：[1]江苏宏微科技股份有限公司,江苏常州213022

出　　处：《电力电子技术》

年　　份：2012

卷　　号：46

期　　号：12

起止页码：34-38

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点。若想继续提升IGBT性能和可靠性,不断降低IGBT制造成本,让国产IGBT跟上世界领先水平,需深刻理解IGBT的发展历程,清晰认识自身的优势与不足,透彻掌握领先技术的精髓,投入更多人力、物力研发新方法、新材料,时刻关注世界领先厂家的发展方向及业界需要。在此主要阐述了IGBT的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方向。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 双极型晶体管 安全工作区

分 类 号：TN32]