文献类型：期刊文章

作　　者：张志明[1] 李国文[1] 马於光[1] 吴芳[1] 田文晶[1] 沈家骢[1]

机构地区：[1]吉林大学超分子结构与谱学开放实验室,长春130023

出　　处：《有机化学》

基　　金：国家自然科学基金(课题号:597905006)

年　　份：2000

卷　　号：20

期　　号：4

起止页码：529-532

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000088890900014)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10^(-4)cm^2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。

关 键 词：电子传输材料 噻吩环恶二唑衍生物  合成  

分 类 号：O626] TN04[化学类]