文献类型：期刊文章

作　　者：赵素香[1,2] 张松[2] 王振交[2] 李果华[1,3] 季静佳[2,3]

机构地区：[1]江南大学理学院,江苏无锡214122 [2]无锡尚德电力控股有限公司,江苏无锡214028 [3]江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2012

卷　　号：37

期　　号：12

起止页码：939-942

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池。采用恒光源I-V特性测试系统测试其电性能,结果表明:较之常规铝背场多晶硅太阳电池,PERC结构电池在开路电压Voc、短路电流密度Jsc、转换效率η方面分别提高了13 mV、1.8 mA/cm2和0.67%(绝对值),其转换效率达到17.27%。PERC结构多晶硅电池采用了常规丝网印刷工艺,有利于实现高效多晶硅电池的产业化生产,具有很高的实际意义。

关 键 词：多晶硅太阳电池 背面钝化  背面局部接触  钝化发射极和背表面电池(PERC)  SIO2 SiNx叠层膜  

分 类 号：TM914.4]