文献类型：期刊文章

作　　者：吴木生[1] 徐波[1] 刘刚[1] 欧阳楚英[1]

机构地区：[1]江西师范大学物理与通信电子学院,南昌330022

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10904054);江西省自然科学基金(批准号:2009GQW008;2010GZW0028)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：22

起止页码：381-385

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000316732600056)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质.本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变(0.5%)时,其能带结构由直接带隙转变为间接带隙.随着应变的增加,能带仍然保持间接带隙的特征,且禁带宽度呈现线性下降的趋势.通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析,揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因.

关 键 词：二硫化钼 应变  能带  第一性原理

分 类 号：O469]