文献类型：期刊文章

作　　者：刘培生[1,2] 黄金鑫[1,2] 仝良玉[1,2] 沈海军[2] 施建根[2]

机构地区：[1]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019 [2]南通富士通微电子股份有限公司,江苏南通226006

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：江苏省高校自然科学重大基础研究资助项目(No.10KJA40043);南通大学自然科学研究资助项目(No.09Z051;No.09R23;No.2010K121);国家科技重大专项"02专项"资助项目(No.2009ZX02024-003);南通大学研究生科技创新计划资助项目(No.YKC12072);江苏省研究生科技创新计划资助项目(No.CXZZ12_0864)

年　　份：2012

卷　　号：31

期　　号：12

起止页码：76-80

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战。TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性。

关 键 词：硅通孔  三维封装 综述  高性能

分 类 号：TN605]