文献类型：期刊文章

作　　者：徐华天[1] 冯仕猛[1] 单以洪[1] 田嘉彤[1] 周玲[2] 杨树泉[2] 雷刚[3] 鞠雪梅[3]

机构地区：[1]上海交通大学物理系,上海200240 [2]上海航天技术研究院,上海201109 [3]上海航天技术研究院811所,上海201109

出　　处：《半导体光电》

基　　金：上海航天基金项目(11GFZ-JJ08-030)

年　　份：2012

卷　　号：33

期　　号：5

起止页码：690-693

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过改变氢氟酸和硝酸的比列,进行了多晶硅表面腐蚀实验,实验研究发现不同配比酸液能刻蚀形貌不同的陷阱坑,消除深沟槽,但陷阱坑开口大,反射率比较高;在优化氢氟酸和硝酸配比的基础上加入阴离子活性剂,然后腐蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示,多晶硅表面能形成比较均匀开口小的陷阱坑,其表面反射率也比较低,而且能有效消除长而深的腐蚀沟槽,这对多晶硅太阳电池的研究具有一定的意义。

关 键 词：多晶硅 绒面技术  陷光效应  反射率 暗纹  

分 类 号：TM914.4]