期刊文章详细信息
ITO薄膜载流子浓度的理论上限
The Theoretical Upper Limitation of CarrierConcentration for ITO
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学应用物理系
年 份：2000
期 号：3
起止页码：18-22
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：以氧化铟锡膜为例 ,讨论氧化物半导体透明导电薄膜载流子浓度的理论上限 ,建立模型并给出理论公式 ,得出氧空位和掺杂的最佳含量值。该理论也适用于掺铝氧化锌薄膜。
关 键 词：ITO薄膜 载流子浓度 掺杂含量 氧化铟锡
分 类 号：TN304.055]
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