文献类型：期刊文章

作　　者：孙剑[1] 吴嘉达[1] 应质峰[1] 施维[1] 凌浩[1] 周筑颖[2] 丁训民[3] 王康林[3] 李富铭[1]

机构地区：[1]复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室,上海200433 [2]复旦大学现代物理研究所,上海200433 [3]复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :698780 0 4 );上海市科学技术发展基金!(批准号 :98JC1 4 0 1 1 )&&

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：9

起止页码：914-917

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001185572780)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 。

关 键 词：氮化铝 低温沉积  薄膜  

分 类 号：TN304]