文献类型：期刊文章

作　　者：涂辛雅[1] 季军[2] 郑益民[2] 潘建根[1]

机构地区：[1]浙江省半导体照明测试系统工程技术研究中心,杭州310053 [2]杭州远方仪器有限公司,杭州310053

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2012

卷　　号：37

期　　号：11

起止页码：894-899

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据。通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性"收缩",光通量一定程度的衰减。但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压。

关 键 词：静电放电 机器模式  人体模式  发光二极管 反向漏电流 光通量

分 类 号：TN364.2]