文献类型：期刊文章

作　　者：张文亮[1] 田晓丽[1] 谈景飞[2] 朱阳军[1,2]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]江苏物联网研究发展中心,江苏无锡214135

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家科技重大专项(2011ZX02503-003;2011ZX02504-002)

年　　份：2012

卷　　号：37

期　　号：11

起止页码：836-841

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用。研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法。通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 逆导型绝缘栅双极型晶体管  初次回跳  二次回跳  引导区

分 类 号：TN389]