文献类型：期刊文章

作　　者：秦飞[1] 王珺[2] 万里兮[3] 于大全[3] 曹立强[3] 朱文辉[1,4,5]

机构地区：[1]北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京100124 [2]复旦大学材料学院,上海200433 [3]r国科学院微电子研究所,北京100029 [4]天水华天科技股份有限公司封装技术研究院,甘肃天水741000 [5]昆山西钛微电子科技有限公司,江苏昆山215300

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(11272018);中国TSV技术攻关联合体第1期课题;北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169)

年　　份：2012

卷　　号：37

期　　号：11

起止页码：825-831

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。

关 键 词：硅通孔  可靠性 热失配  应力 界面完整性  

分 类 号：TN406]