文献类型：期刊文章

作　　者：贾林楠[1] 黄安平[1] 郑晓虎[1] 肖志松[1] 王玫[1]

机构地区：[1]北京航空航天大学物理系,北京100191

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013;11074020);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-08-0029);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(批准号:KL201209SIC)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：21

起止页码：432-442

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000316732100061)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.

关 键 词：忆阻器  忆阻机理  界面效应  非易失存储  

分 类 号：TM501]