文献类型：期刊文章

作　　者：钟志有[1,2] 顾锦华[3] 孙奉娄[1,2] 杨春勇[1] 侯金[1]

机构地区：[1]中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074 [2]中南民族大学等离子体研究所,武汉430074 [3]中南民族大学计算与实验中心,武汉430074

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：Project supported by the Natural Science Foundation of Hubei(2011CDB418);the National Natural Science Foundation of China(61002013,11147014);the Academic Team Foundation(XTZ09003)of SCUN

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：5

起止页码：1337-1344

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20124915763076)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响。结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关。当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω.cm)、较高的可见光波段平均透过率(88.9%)和最大的品质因数(1.4×10-2 S),其光电综合性能最佳。同时采用外推法计算了Ga∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加。

关 键 词：氧化锌薄膜 磁控溅射 光电性能

分 类 号：O484]