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期刊文章详细信息

基于Volterra级数快速设计AB类射频功放偏置电路    

A Fast Design Technique of Class AB RF Power Amplifier Bias Circuit Using Volterra Series

  

文献类型:期刊文章

作  者:张晓东[1] 程建春[1] 王锋[2]

机构地区:[1]南京大学电子科学与工程系,南京210093 [2]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,苏州215123

出  处:《微波学报》

基  金:科技部科技型中小企业技术创新基金(12C26213202336)

年  份:2012

卷  号:28

期  号:5

起止页码:65-68

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:AB类是兼顾射频功率放大器线性度和效率的一种偏置类型,偏置电路对AB类功率放大器的性能有很大影响。为达到最优性能,通常偏置电路的参数需要通过多次试验来确定。本文提出了一种基于Volterra级数的优化设计方法,该方法利用Volterra级数和基尔霍夫电流定律(KCL),可以计算出兼顾放大器效率和线性的最佳输入偏置。由此可以在设计过程中快速确定最佳偏置参数,从而简化了设计和调测的过程。流片测试结果验证了这种设计方法的有效性。

关 键 词:AB类功率放大器  VOLTERRA级数 线性度

分 类 号:TN722.75]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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