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掺氢非晶硅薄膜材料光稳定性的研究
Study on Photo stability of Hydrogenated Amorphous Silicon Film
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西北民族学院物理系,甘肃兰州730030
年 份：2000
卷 号：21
期 号：1
起止页码：14-16
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：用射频辉光放电法制备了a Si:H样品 ,并对样品进行了光照测试 实验表明 ,样品经过光照后 ,光电流和暗电流逐渐减小 ,在光照初期 ,这种变化很大 ,随着光照时间增加 ,光诱导效应渐趋饱和 ,这种现象是由于强光照产生亚稳缺陷态所引起 讨论了在非晶硅氢薄膜中亚稳光诱导变化的机理 ,并解释了S
关 键 词：S-W效应 缺陷态 掺氢非晶硅薄膜 光稳定性
分 类 号：O484.41] TN304.12[物理学类]
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