文献类型：期刊文章

作　　者：刘仁智[1,2] 孙院军[2] 王快社[1] 安耿[2] 李晶[2] 王引婷[2]

机构地区：[1]西安建筑科技大学,陕西西安710055 [2]金堆城钼业股份有限公司,陕西西安710075

出　　处：《稀有金属材料与工程》

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：9

起止页码：1559-1563

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20124515655242)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000310046300012)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000310046300012)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：将4种组织差异较大的钼靶材在同一溅射设备,同一溅射工艺下进行磁控溅射试验,对溅射后的靶材表面及薄膜表面、截面形貌及方阻进行检测,讨论并分析靶材微观组织对溅射过程及薄膜形貌、晶向、导电性能的影响。结果表明,不同组织靶材溅射的薄膜表面及截面形貌差异较小;靶材80%的晶粒尺寸小于50μm时,溅射薄膜沉积速率较快,方阻值的变化较小,薄膜厚度较均匀;钼靶材溅射薄膜的择优均为(110)取向,靶材组织对溅射薄膜的取向影响不大;靶材组织的晶粒均匀细小,晶界所占面积率越大,靶材减薄越均匀,靶材利用率越高。

关 键 词：钼靶材  溅射薄膜  形貌 方阻

分 类 号：O484.1]