文献类型：期刊文章

作　　者：何贤模[1,2] 徐明[1] 芦伟[1,2]

机构地区：[1]西南民族大学电气信息工程学院,信息材料四川省重点实验室,成都610041 [2]四川师范大学物理与电子工程学院,固体物理研究所,成都610068

出　　处：《材料导报》

基　　金：四川省青年科技基金(08ZQ026-025);西南民族大学研究生学位点建设项目(2011XWD-S0805)

年　　份：2012

卷　　号：26

期　　号：19

起止页码：41-44

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：SiNx的结构和性能都会随x值发生显著变化,尤其是薄膜的发光性质。同时,在不同条件下制备的SiNx薄膜中都观察到了可见光致发光现象,研究者提出了相应的机制予以解释。总结了近十年来关于SiNx薄膜的光致发光研究进展,评述了其各种发光机制。

关 键 词：氮化硅薄膜 光致发光 机制  

分 类 号：TB324[材料类] O43]