期刊文章详细信息
三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展
Research Status of Through-Silicon Via Interconnection for 3D Integration Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第43研究所,合肥230088
年 份：2012
卷 号：12
期 号：9
起止页码：1-5
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：为顺应摩尔定律的增长趋势,芯片技术已来到超越"摩尔定律"的三维集成时代。电子系统进一步小型化和性能提高,越来越需要使用三维集成方案,在此需求推动下,穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生,成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一。TSV集成与传统组装方式相比较,具有独特的优势,如减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围。三维集成技术可使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的多个系列元器件集成到一个系统里面。文章结合近两年的国外文献,总结了用于三维集成封装的TSV的互连技术和工艺,探讨了其未来发展方向。
关 键 词：互连 三维集成 硅通孔
分 类 号：TN305.94]
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