文献类型：期刊文章

作　　者：李文胜[1] 张琴[1] 黄海铭[1] 付艳华[1] 是度芳[1,2]

机构地区：[1]湖北汽车工业学院理学系,湖北十堰442002 [2]华中科技大学物理系,湖北武汉430074

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：国家自然科学基金(10974048);湖北省教育厅科学技术研究项目(Q20122307)

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：8

起止页码：2033-2037

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20124415622938)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角θ增加、B介质的介电常数εB或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移。上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的。隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义。

关 键 词：光子晶体 电单负材料  偏振 隧穿模  

分 类 号：O434]