文献类型：期刊文章

作　　者：陈燕[1,2] 邓爱红[1] 汤宝[3] 王国伟[3] 徐应强[3] 牛智川[3]

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院物理系,四川成都610065 [2]绵阳师范学院物理系,四川绵阳621000 [3]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：国家自然科学基金(Y112071000);973项目(2010CB327601)~~

年　　份：2012

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：298-301

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20124115554696)、INSPEC、JST、SCI(收录号：WOS:000309153400003)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000309153400003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.

关 键 词：原子力显微镜 正电子湮没 X射线衍射

分 类 号：O474]